Micron/Infineon - Spezifikationen für CellularRAM

Diese Speicherbausteine stellen 'Pseudo-Static-RAMs' mit sehr geringer Leistungsaufnahme dar, die vor allem in 2,5G- und 3G-Mobiltelefonen zum Einsatz kommen sollen. Beide Unternehmen wollen die Speicher auf der Basis der gemeinsamen Spezifikation fertigen, dabei aber eigene Prozess-Technologien einsetzen.

CellularRAM beinhaltet Komponenten mit SRAM-Interface. Damit soll der Ersatz herkömmlicher SRAM-Speicher erleichtert werden. CellularRAM basiert auf einer Speicherzelle auf DRAM-Technologie mit einem Transistor. Die Speicherzellen benötigen nur ein Zehntel der Fläche gegenüber einer SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Die reduzierte Chipfläche erlaubt wiederum eine höhere Speicherkapazität bei zukünftigen Mobiltelefonen.

Infineon und Micron wollen innerhalb der kommenden zwölf Monate die ersten CellularRAM-Bausteine auf den Markt bringen. Als erstes ist ein 32 Mbit-Speichermodul zum Jahresende geplant. Die CellularRAMs arbeiten mit einer 1,8-V-Versorgung.

Infineon
Micron

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