10.12.2002 (Archiv)
IBM: Kleinster Transistor der Welt
Auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM), das vom 9.-11.12. in San Francisco stattfindet, präsentiert IBM den kleinsten Transistor der Welt mit nur vier bis acht Nanometer Gatelänge.Die Schalteigenschaften eines Transistors werden durch die Gate-Länge bestimmt, eine kleinere Gate-Länge bewirkt eine höhere Geschwindigkeit. Mit Hilfe von so genannten 'halo implants' wurde der Transistor bei einer Belichtungs-Wellenlänge von 248 Nanometern mit herkömmlichen lithografischen Methoden hergestellt. IBM wollte damit zunächst beweisen, dass sich auch mit kleinen Abmessungen ein Feldeffekttransistor realisieren lässt. Deswegen ist es auch noch nicht sicher, wann und ob der Transistor überhaupt in die Fertigung kommt.
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