01.06.2001 (Archiv)
Neuer Hochleistungsspeicher
Infineon will zusammen mit Micron neue Hochleistungs-DRAM-Speicherbausteine mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM) entwickeln.Dieser Speicher soll vor allen Dingen in Routern oder Switches zum Einsatz kommen, also überall wo schneller Speicherzugriff erforderlich ist. Die neue Technologie soll am Anfang Datenraten von bis zu 600 MBit pro Pin erreichen und speziell auf die Bedürfnisse der Netzwerkanbieter abgestimmt werden.
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